danДоклады Национальной академии наук БеларусиDoklady of the National Academy of Sciences of Belarus1561-83232524-2431The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"10.29235/1561-8323-2021-65-6-764-768dan-1031Research ArticleТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИTECHNICAL SCIENCESПоверхностно-барьерные структуры на основе твердых растворов (In 2 S 3 ) х •(AgIn 5 S 8 ) 1–хSurface-barrier structures based on solid solutions (In 2 S 3 ) х •(AgIn 5 S 8 ) 1–хФещенкоА. А.FeshchankaA. A.

Фещенко Артем Александрович – аспирант

ул. П. Бровки, 6, 220013, Минск, Республика Беларусь

Feshchanka Artsiom A. – Postgraduate student

6, P. Brovka Str., 220013, Minsk, Republic of Belarus

faa@bsuir.byХорошкоВ. В.KhoroshkoV. V.

Хорошко Виталий Викторович – канд. техн. наук, заведующий кафедрой

ул. П. Бровки, 6, 220013, Минск, Республика Беларусь

Khoroshko Vitaly V. – Ph. D. (Engineering), Head of the Department

6, P. Brovka Str., 220013, Minsk, Republic of Belarus

khoroshko@bsuir.byБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusian State University of Informatics and Radioelectronics202126122021656764768Copyright © Фещенко А.А., Хорошко В.В., 20212021Фещенко А.А., Хорошко В.В.Feshchanka A.A., Khoroshko V.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/1031

Методом направленной кристаллизации расплава (метод Бриджмена) выращены монокристаллы твердых растворов (In2S3)x·(AgIn5S8)1–x, проведены исследования элементного состава, кристаллической структуры и удельного сопротивления. На основе выращенных монокристаллов созданы фоточувствительные структуры In/(In2S3)x·(AgIn5S8)1–x и определены фотоэлектрические свойства данных структур. Показана возможность использования созданных структур в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения.

Single crystals of solid solutions (In2S3)x⋅ (AgIn5S8)1–x were grown by the method of directional crystallization of the melt (Bridgman method). Studies of the elemental composition and crystal structure of these single crystals have been carried out. On the basis of solid solutions (In2S3)x⋅ (AgIn5S8)1–x, photosensitive structures have been created for the first time and the photoelectric properties of these structures have been determined. The possibility of using the created structures as broadband photoconverters of optical radiation is shown.

синтез кристалловметод Бриджменамонокристаллы твердых растворовкристаллическая решеткаудельное сопротивлениеповерхностно-барьерные структурыфоточувствительностьcrystal synthesisBridgman methodsingle crystals of solid solutionscrystal latticesurface-barrier structuresphotosensitivityReferencesБоднарь, И. В. Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In2S3)x(AgIn5S8)1–x / И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко // Физика и техника полупроводников. – 2020. – Т. 54, № 12. – С. 1350–1354. https://doi.org/10.21883/ftp.2020.12.50236.9500Bodnar I. V., Feschenko A. A., Khoroshko V. V. Band gap of (In2S3)x(AgIn5S8)1–x single-crystal alloys. Semiconductors, 2020, vol. 54, no. 12, pp. 1611–1615. https://doi.org/10.1134/s1063782620120039Полубок, В. А. Выращивание и исследование свойств кристаллов In2S3 / В. А. Полубок, A. M. Ковальчук // Физика конденсированного состояния: тез. докл. XIII Респ. науч. конф. аспирантов, магистрантов и студентов, Гродно, 26–28 апр. 2005 / редкол.: В. А. Лиопо [и др.]. − Гродно, 2005. – С. 183–186.Polubok V. A., Kovalchuk A. M. Growth and study of the properties of In2S3 crystals. Liopo V. A. [i dr.], redkol. Fizika kondensirovannogo sostoyaniya: tezisy dokladov XIII Respublikanskoi nauchnoi konferentsii aspirantov, magistrantov i studentov, Grodno, 26–28 aprelya 2005 [Liopo V. A. [et al.], eds. Physics of Condensed Matter: Abstracts of the XIII Republican scientifical conference graduate students, undergraduates and students, Grodno, April 26–28, 2005]. Grodno, 2005, pp. 183–186 (in Russian).Боднарь, И. В. Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны твердых растворов (MnIn2S4)1−x•(AgIn5S8)x / И. В. Боднарь, Бинь Тхан Чан // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т. 52, № 8. – С. 958–962. https://doi.org/10.21883/ftp.2018.08.46227.8643Bodnar I. V., Tkhan C. B. Crystal structure and band gap of (MnIn2S4)1–x• (AgIn5S8)x alloys. Semiconductors, 2018, vol. 52, no. 8, pp. 1086–1090. https://doi.org/10.1134/s1063782618080043Шербан, К. Ф. Получение и исследования оптических и фотоэлектрических свойств твердых растворов в системах CdS–In 2S3 и AgInS2-In2S3 / К. Ф. Шербан. – Кишинев, 1974. – 145 с.Sherban K. F. Obtaining and research of optical and photoelectric properties of solid solutions in the systems CdS–In2S3 and AgInS2–In2S3. Kishinev, 1974. 145 p. (in Russian).The In–In 2S3 System / M. F. Stubbs [et al.] // J. American Chemical Society. – 1952. – Vol. 74, N 6. – P. 1441–1443. https://doi.org/10.1021/ja01126a024Stubbs M. F., Schufle J. A., Thompson A. J., Duncan J. M. The In–In2S3 System. Journal of the American Chemical Society, 1952, vol. 74, no. 6, pp. 1441–1443. https://doi.org/10.1021/ja01126a024Т-х-фазовая диаграмма системы In–S / А. Ю. Завражнов [и др.] // Неорганические материалы. – 2006. – Т. 42, № 12. – С. 1420–1424.Zavrazhnov A. Yu., Naumov A. V., Anorov P. V., Goncharov E. G., Sidei V. I., Pervov V. S. T-x phase diagram of the In–S system. Inorganic Materials, 2006, vol. 42, no. 12, pp. 1294–1298. https://doi.org/10.1134/s0020168506120028Ansell, H. G. Phase relationships in the In–S system / H. G. Ansell, R. S. Boorman // J. Electrochemical Society. – 1971. – Vol. 118, N 1. – P. 133–136. https://doi.org/10.1149/1.2407925Ansell H. G., Boorman R. S. Phase relationships in the In–S system. Journal of the Electrochemical Society, 1971, vol. 118, no. 1, pp. 133–136. https://doi.org/10.1149/1.2407925Phase equilibria in the quasiternary system Ag2S–Ga2S3–In2S3 and optical properties of (Ga55In45)2S300, (Ga54.59In44.66Er0.75)2S300 single crystals / I. A. Ivashchenko [et al.] // Journal of Solid State Chemistry. – 2015. – Vol. 224. – Р. 255–264. https://doi.org/10.1016/j.jssc.2015.04.006Ivashchenko I. A., Danyliuk I. V., Olekseyuk I. D., Pankevych V. Z., Halyan V. V. Phase equilibria in the quasiternary system Ag2S–Ga2S3–In2S3 a nd o ptical p roperties of (Ga55In45)2S300, (Ga54.59In44.66Er0.75)2S300 single crystals. Journal of Solid State Chemistry, 2015, vol. 227, pp. 255–264. https://doi.org/10.1016/j.jssc.2015.04.006Phase equilibria in the quasi-ternary system Ag2S–In2S3–CdS at 870 K / V. R. Kozera [et al.] // Journal of Alloys and Compounds. – 2009. – Vol. 480, N 2. – P. 360–364. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.02.052Kozera V. R., Fedorchuk A., Olekseyuk I. D., Parasyuk O. V. Phase equilibria in the quasi-ternary system Ag2S–In2S3–CdS at 870 K. Journal of Alloys and Compounds, 2009, vol. 480, no. 2, pp. 360–364. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.02.052Палатник, Л. С. Диаграммы равновесия и структура полупроводниковых сплавов A2ICVI–B2IIIC3VI / Л. С. Палатник, Е. И. Рогачева // Докл. АН СССР. – 1967. – Т. 174, № 1. – С. 80–83.Palatnik L. S., Rogacheva E. I. Equilibrium diagrams and structure of semiconductor alloys A2ICVI-B2IIIC3VI. Doklady Akademii nauk SSSR [Reports of the USSR Academy of Sciences], 1967, vol. 174, no. 1, pp. 80–83 (in Russian).

The authors declare that there are no conflicts of interest present.