danДоклады Национальной академии наук БеларусиDoklady of the National Academy of Sciences of Belarus1561-83232524-2431The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"dan-122Research ArticleФИЗИКАPHYSICSБИСТАБИЛЬНЫЕ ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ p-ТИПАBISTABLE DEEP LEVEL CENTERS IN IRRADIATED p-TYPE SILICON CRYSTALSЛАСТОВСКИЙС. Б.LASTOVSKIIS. B.lastov@ifttp.bas-net.byМАРКЕВИЧВ. П.MARKEVICHV. P.V.Markevich@manchester.ac.ukКОРШУНОВФ. П.KORSHUNOVF. P.

член-корреспондент

korshun@ifttp.bas-net.byЯКУШЕВИЧА. С.YAKUSHEVICHH. S.yakushevich@ifttp.bas-net.byМУРИНЛ. И.MURINL. I.murin@ifttp.bas-net.byМАКАРЕНКОЛ. Ф.MAKARENKOL. F.makleo@mail.ruНПЦ НАН Беларуси по материаловедению, МинскScientific and Practical Materials Research Centre of National Academy of Sciences of Belarus, MinskУниверситет г. МанчестерUniversity of Manchester, ManchesterБелорусский государственный университет, МинскBelarusian State University, Minsk2015020620165945762Copyright © ЛАСТОВСКИЙ С.Б., МАРКЕВИЧ В.П., КОРШУНОВ Ф.П., ЯКУШЕВИЧ А.С., МУРИН Л.И., МАКАРЕНКО Л.Ф., 20162016ЛАСТОВСКИЙ С.Б., МАРКЕВИЧ В.П., КОРШУНОВ Ф.П., ЯКУШЕВИЧ А.С., МУРИН Л.И., МАКАРЕНКО Л.Ф.LASTOVSKII S.B., MARKEVICH V.P., KORSHUNOV F.P., YAKUSHEVICH H.S., MURIN L.I., MAKARENKO L.F.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/122

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния p-типа, облученных быстрыми электронами и α-частицами. Обнаружен новый бистабильный радиационно-индуцированный центр с глубокими уровнями вблизи середины запрещенной зоны Si. Определены основные характеристики данного центра и высказаны предположения о его возможной природе.

Deep level transient spectroscopy (DLTS) has been used for studying the electrically active defects in p-type silicon crystals irradiated with fast electrons and α-particles. A new bistable radiation-induced center with deep levels around the midgap of silicon is revealed. The main characteristics of this center are determined and some suggestions on its origin are given.

кремнийбыстрые электроныDLTSрадиационно-индуцированные дефектыглубокие уровнибистабильностьsiliconfast electronsDLTSradiation-induced defectsdeep levelsbistabilityReferencesChantre, A. Introduction to defect bistability / A. Chantre // Appl. Phys. A. – 1989. – Vol. 48. – P. 3–9.Chantre, A. Introduction to defect bistability / A. Chantre // Appl. Phys. A. – 1989. – Vol. 48. – P. 3–9.Watkins, G. D. Defect metastability and bistability / G. D. Watkins // Material Science Forum. – 1989. – Vol. 38–41. – P. 39–50.Watkins, G. D. Defect metastability and bistability / G. D. Watkins // Material Science Forum. – 1989. – Vol. 38–41. – P. 39–50.Мукашев, Б. Н. Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии / Б. Н. Мукашев, Х. А. Абдуллин, Ю. В. Горелкинский // УФН. – 2000. – Т. 43, № 2. – С. 143–155.Мукашев, Б. Н. Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии / Б. Н. Мукашев, Х. А. Абдуллин, Ю. В. Горелкинский // УФН. – 2000. – Т. 43, № 2. – С. 143–155.Makarenko, L. F. Trapping of minority carriers in thermal U−-donors in n-Si / L. F. Makarenko, L. I. Murin // Phys. stat. sol. (b). – 1988. – Vol. B145, N 1. – P. 241–253.Makarenko, L. F. Trapping of minority carriers in thermal U−-donors in n-Si / L. F. Makarenko, L. I. Murin // Phys. stat. sol. (b). – 1988. – Vol. B145, N 1. – P. 241–253.Watkins, G. D. Modification of defect structures by electronic excitation / G. D. Watkins // Reviews of Solid State Science. – 1990. – Vol. 4, N 3–4. – P. 279–296.Watkins, G. D. Modification of defect structures by electronic excitation / G. D. Watkins // Reviews of Solid State Science. – 1990. – Vol. 4, N 3–4. – P. 279–296.Коршунов, Ф. П. Радиационная технология изготовления мощных полупроводниковых приборов / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев // Весці НАН Беларусі. Сер. фіз.-тэхн. навук. – 2008. – № 4. – С. 106–114.Коршунов, Ф. П. Радиационная технология изготовления мощных полупроводниковых приборов / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев // Весці НАН Беларусі. Сер. фіз.-тэхн. навук. – 2008. – № 4. – С. 106–114.Structure and electronic properties of trivacancy and trivacancy-oxygen complexes in silicon / V. P. Markevich [et al.] // Phys. stat. sol. (a). – 2011. – Vol. 208, N 3. – P. 568–571.Structure and electronic properties of trivacancy and trivacancy-oxygen complexes in silicon / V. P. Markevich [et al.] // Phys. stat. sol. (a). – 2011. – Vol. 208, N 3. – P. 568–571.The trivacancy and trivacancy-oxygen family of defects in silicon / V. P. Markevich [et al.] // Solid State Phenomena. – 2014. – Vol. 205–206. – P. 181–190.The trivacancy and trivacancy-oxygen family of defects in silicon / V. P. Markevich [et al.] // Solid State Phenomena. – 2014. – Vol. 205–206. – P. 181–190.Dobaczewski, L. Laplace-transform deep-level spectroscopy: The technique and its applications to the study of point defects in semiconductors / L. Dobaczewski, A. R. Peaker, B. K. Nielsen // J. Appl. Phys. – 2004. – Vol. 96, N 9. – P. 4689–4728.Dobaczewski, L. Laplace-transform deep-level spectroscopy: The technique and its applications to the study of point defects in semiconductors / L. Dobaczewski, A. R. Peaker, B. K. Nielsen // J. Appl. Phys. – 2004. – Vol. 96, N 9. – P. 4689–4728.Forward current enhanced elimination of the radiation induced boron-oxygen complex in n+–p diodes / L. F. Makarenko [et al.] // Phys. stat. sol. (a). – 2014. – Vol. 211, N 11. – P. 2558–2562.Forward current enhanced elimination of the radiation induced boron-oxygen complex in n+–p diodes / L. F. Makarenko [et al.] // Phys. stat. sol. (a). – 2014. – Vol. 211, N 11. – P. 2558–2562.Complexes of the self-interstitial with oxygen in irradiated silicon: a new assignment of the 936 cm−1 band / J. Hermansson [et al.] // Physica B: Condensed Matter. – 2001. – Vol. 302–303. – P. 188–192.Complexes of the self-interstitial with oxygen in irradiated silicon: a new assignment of the 936 cm−1 band / J. Hermansson [et al.] // Physica B: Condensed Matter. – 2001. – Vol. 302–303. – P. 188–192.Radiation damage in silicon exposed to high-energy protons / G. Davies [et al.] // Phys. Rev. B. – 2006. – Vol. 73, N 16. – P. 165202 (1–10).Radiation damage in silicon exposed to high-energy protons / G. Davies [et al.] // Phys. Rev. B. – 2006. – Vol. 73, N 16. – P. 165202 (1–10).Self-interstitial clusters in silicon / R. Jones [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. – 2002. – Vol. 186. – P. 10–18.Self-interstitial clusters in silicon / R. Jones [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. – 2002. – Vol. 186. – P. 10–18.Posselt, M. Atomistic study of the migration of di- and tri-interstitials in silicon / M. Posselt, F. Gao, D. Zwicker // Phys Rev. B. – 2005. – Vol. 71, N 24. – P. 245202 (1–12).Posselt, M. Atomistic study of the migration of di- and tri-interstitials in silicon / M. Posselt, F. Gao, D. Zwicker // Phys Rev. B. – 2005. – Vol. 71, N 24. – P. 245202 (1–12).Evolution of radiation-induced carbon-oxygen-related defects in silicon upon annealing: LVM studies / L. I. Murin [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. – 2006. – Vol. 253. – P. 210–213.Evolution of radiation-induced carbon-oxygen-related defects in silicon upon annealing: LVM studies / L. I. Murin [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. – 2006. – Vol. 253. – P. 210–213.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.