danДоклады Национальной академии наук БеларусиDoklady of the National Academy of Sciences of Belarus1561-83232524-2431The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"dan-222Research ArticleФИЗИКАPHYSICSДРЕЙФ И ДИФФУЗИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПО ДВУХУРОВНЕВЫМ (ТРЕХЗАРЯДНЫМ) ТОЧЕЧНЫМ ДЕФЕКТАМ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКАХDRIFT AND DIFFUSION OF ELECTRONS VIA TWO-LEVEL (TRIPLE-CHARGED) POINT DEFECTS IN CRYSTALLINE SEMICONDUCTORSПОКЛОНСКИЙН. А.POKLONSKIN. A.poklonski@bsu.byКОВАЛЕВА. И.KOVALEVA. I.ВЫРКОС. А.VYRKOS. A.Белорусский государственный университет, МинскBelarus2014090620165833743Copyright © ПОКЛОНСКИЙ Н.А., КОВАЛЕВ А.И., ВЫРКО С.А., 20162016ПОКЛОНСКИЙ Н.А., КОВАЛЕВ А.И., ВЫРКО С.А.POKLONSKI N.A., KOVALEV A.I., VYRKO S.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/222

В дрейфово-диффузионном приближении рассматривается миграция как одиночных электронов, так и пар электронов (биполяронов) посредством прыжков их между неподвижными точечными дефектами одного сорта (вида) в трех зарядовых состояниях (–1, 0, +1) при наложении на полупроводник внешнего электрического поля. Получены аналитические выражения для длины экранирования стационарного электрического поля и длины диффузии электронов, прыгающих по таким дефектам кристаллической решетки.

In the drift-diffusion approximation, we considered the migration of both single electrons and pairs of electrons (bipolarons) due to their hops via immobile point defects of one kind in three charge states (–1, 0, +1) when an external electric field is applied to a semiconductor. We found the analytical expressions for the screening length of the stationary electric field and for the diffusion length of electrons hopping via such defects of the crystalline lattice.

ReferencesПоклонский Н. А. // Междунар. зимняя школа по физике полупроводников 2011: Науч. прогр. и тез. докл., С.-Петербург – Зеленогорск, 25–28 февр. 2011 г. СПб., 2011. С. 43–48.Поклонский Н. А. // Междунар. зимняя школа по физике полупроводников 2011: Науч. прогр. и тез. докл., С.-Петербург – Зеленогорск, 25–28 февр. 2011 г. СПб., 2011. С. 43–48.Поклонский Н. А., Вырко С. А., Забродский А. Г. // ФТП. 2008. Т. 42, № 12. С. 1420–1425.Поклонский Н. А., Вырко С. А., Забродский А. Г. // ФТП. 2008. Т. 42, № 12. С. 1420–1425.Pollak M. // Phys. Status Solidi B. 2002. Vol. 230, N 1. P. 295–304.Pollak M. // Phys. Status Solidi B. 2002. Vol. 230, N 1. P. 295–304.Radiation effects in semiconductors / ed. by K. Iniewski. Boca Raton, 2011. – 420 p.Radiation effects in semiconductors / ed. by K. Iniewski. Boca Raton, 2011. – 420 p.Брудный В. Н., Колин Н. Г., Смирнов Л. С. // ФТП. 2007. Т. 41, № 9. С. 1031–1040.Брудный В. Н., Колин Н. Г., Смирнов Л. С. // ФТП. 2007. Т. 41, № 9. С. 1031–1040.Поклонский Н. А., Лопатин С. Ю. // ФТТ. 1998. Т. 40, № 10. С. 1805–1809.Поклонский Н. А., Лопатин С. Ю. // ФТТ. 1998. Т. 40, № 10. С. 1805–1809.Poklonskii N. A., Stelmakh V. F., Tkachev V. D., Voitikov S. V. // Phys. Status Solidi B. 1978. Vol. 88, N 2. P. K165–K168.Poklonskii N. A., Stelmakh V. F., Tkachev V. D., Voitikov S. V. // Phys. Status Solidi B. 1978. Vol. 88, N 2. P. K165–K168.Poklonski N. A., Vyrko S. A., Zabrodskii A. G. // Semicond. Sci. Technol. 2010. Vol. 25, N 8. P. 085006 (6 pp.).Poklonski N. A., Vyrko S. A., Zabrodskii A. G. // Semicond. Sci. Technol. 2010. Vol. 25, N 8. P. 085006 (6 pp.).Poklonski N. A., Vyrko S. A., Zabrodskii A. G. // Solid State Commun. 2009. Vol. 149, N 31–32. P. 1248–1253.Poklonski N. A., Vyrko S. A., Zabrodskii A. G. // Solid State Commun. 2009. Vol. 149, N 31–32. P. 1248–1253.Poklonski N. A., Stelmakh V. F. // Phys. Status Solidi B. 1983. Vol. 117, N 1. P. 93–99.Poklonski N. A., Stelmakh V. F. // Phys. Status Solidi B. 1983. Vol. 117, N 1. P. 93–99.Поклонский Н. А., Стельмах В. Ф., Ткачев В. Д. // Докл. АН БССР. 1976. Т. 20, № 9. С. 783–785.Поклонский Н. А., Стельмах В. Ф., Ткачев В. Д. // Докл. АН БССР. 1976. Т. 20, № 9. С. 783–785.Красинькова М. В., Мойжес Б. Я. // ФТП. 1990. Т. 24, № 11. С. 1934–1942.Красинькова М. В., Мойжес Б. Я. // ФТП. 1990. Т. 24, № 11. С. 1934–1942.Каширина Н. И., Лахно В. Д. // УФН. 2010. Т. 180, № 5. С. 449–473.Каширина Н. И., Лахно В. Д. // УФН. 2010. Т. 180, № 5. С. 449–473.Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М., 1990. – 688 с.Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М., 1990. – 688 с.Арнольд В. И. Обыкновенные дифференциальные уравнения. Ижевск, 2000. – 368 с.Арнольд В. И. Обыкновенные дифференциальные уравнения. Ижевск, 2000. – 368 с.Manifacier J.-C., Henisch H. K. // J. Phys. Chem. Solids. 1980. Vol. 41, N 11. P. 1285–1288.Manifacier J.-C., Henisch H. K. // J. Phys. Chem. Solids. 1980. Vol. 41, N 11. P. 1285–1288.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.