danДоклады Национальной академии наук БеларусиDoklady of the National Academy of Sciences of Belarus1561-83232524-2431The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"dan-311Research ArticleФИЗИКАPHYSICSЛОКАЛЬНЫЕ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ МОДЫ КОМПЛЕКСА ДИВАКАНСИЯ–ДВА АТОМА КИСЛОРОДА В КРЕМНИИLOCAL VIBRATIONAL MODES OF THE COMPLEX CONSISTING OF DIVACANCY AND TWO OXYGEN ATOMS IN SILICONТолкачеваЕ. А.TolkachevaE. A.talkachova@physics.byМуринЛ. И.MurinL. I.murin@ifttp.bas-net.byКоршуновФ. П.KorshunovF. P.

член-корреспондент

korshun@ifttp.bas-net.byНПЦ НАН Беларуси по материаловедениюScientific and Practical Materials Research Centre of the National Academy of Sciences of Belarus2016020820166035156Copyright © Толкачева Е.А., Мурин Л.И., Коршунов Ф.П., 20162016Толкачева Е.А., Мурин Л.И., Коршунов Ф.П.Tolkacheva E.A., Murin L.I., Korshunov F.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/311

Методом низкотемпературной ИК фурье-спектроскопии исследованы процессы образования и отжига вакансионно-кислородных комплексов Vn Om в облученных быстрыми электронами кристаллах кремния, полученных методом Чохральского. Приведен ряд аргументов, позволяющих утверждать, что полоса поглощения у 829,3 см–1 является локальной колебательной модой комплекса дивакансия–два атома кислорода V2 O2 .

The processes of formation and annealing of vacancy–oxygen-related Vn Om complexes in Czochralski-grown silicon crystals irradiated with fast electrons have been investigated by means of low-temperature IR Fourier spectroscopy. A number of arguments are presented confirming the identification of the vibrational absorption band at 829.3 cm–1 as arising from the V2 O2 defect.

кремнийоблучениеотжигвакансионно-кислородные комплексыИК поглощениеsiliconirradiationannealingvacancy-oxygen-related complexesIR absorptionReferencesБабич, B. М. Кислород в монокристаллах кремния / B. М. Бабич, Н. И. Блецкан, Е. Ф. Венгер. – Киев: Интерпрес ЛТД, 1997. – 240 с.Бабич, B. М. Кислород в монокристаллах кремния / B. М. Бабич, Н. И. Блецкан, Е. Ф. Венгер. – Киев: Интерпрес ЛТД, 1997. – 240 с.Oxygen defect processes in silicon and silicon germanium / A. Chroneos [et al.] // Appl. Phys. Rev. – 2015. – Vol. 2. – P. 021306(1–16).Oxygen defect processes in silicon and silicon germanium / A. Chroneos [et al.] // Appl. Phys. Rev. – 2015. – Vol. 2. – P. 021306(1–16).Defect engineering in Czochralski silicon by electron irradiation at different temperatures / J. L. Lindström [et al.] // Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B. – 2002. – Vol. 186. – P. 121–125.Defect engineering in Czochralski silicon by electron irradiation at different temperatures / J. L. Lindström [et al.] // Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B. – 2002. – Vol. 186. – P. 121–125.Коршунов, Ф. П. Радиационная технология изготовления мощных полупроводниковых приборов / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев // Весці НАН Беларусі. Сер. фіз.-тэхн. навук. – 2008. – № 4. – С. 106–114.Коршунов, Ф. П. Радиационная технология изготовления мощных полупроводниковых приборов / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев // Весці НАН Беларусі. Сер. фіз.-тэхн. навук. – 2008. – № 4. – С. 106–114.Thermal double donor annihilation and oxygen precipitation at around 650 °C in Czochralski-grown Si: local vibrational mode studies / L. I. Murin [et al.] // J. Phys.: Condensed Matter. – 2005. – Vol. 17, N 22. – P. S2237–S2246.Thermal double donor annihilation and oxygen precipitation at around 650 °C in Czochralski-grown Si: local vibrational mode studies / L. I. Murin [et al.] // J. Phys.: Condensed Matter. – 2005. – Vol. 17, N 22. – P. S2237–S2246.Pajot, B. Optical absorption of impurities and defects in semiconducting crystal: Electronic absorption of deep centres and vibrational spectra / B. Pajot, B. Clerjaud. – Berlin; Heidelberg: Springer, 2013. – 463 p.Pajot, B. Optical absorption of impurities and defects in semiconducting crystal: Electronic absorption of deep centres and vibrational spectra / B. Pajot, B. Clerjaud. – Berlin; Heidelberg: Springer, 2013. – 463 p.Local vibrational modes of the oxygen trimer in Si / L. I. Murin [et al.] // Physica Status Solidi (c). – 2011. – Vol. 8, N 3. – P. 709–712.Local vibrational modes of the oxygen trimer in Si / L. I. Murin [et al.] // Physica Status Solidi (c). – 2011. – Vol. 8, N 3. – P. 709–712.VO<sub>n</sub> (n ≥ 3) defects in irradiated and heat-treated silicon / L. I. Murin [et al.] // Solid State Phenomena. – 2005. – Vol. 108–109. – P. 267–272.VO<sub>n</sub> (n ≥ 3) defects in irradiated and heat-treated silicon / L. I. Murin [et al.] // Solid State Phenomena. – 2005. – Vol. 108–109. – P. 267–272.Divacancy-oxygen and trivacancy-oxygen complexes in silicon: Local Vibrational Mode studies / L. I. Murin [et al.] // Solid State Phenomena. – 2010. – Vol. 156–158. – P. 129–134.Divacancy-oxygen and trivacancy-oxygen complexes in silicon: Local Vibrational Mode studies / L. I. Murin [et al.] // Solid State Phenomena. – 2010. – Vol. 156–158. – P. 129–134.Толкачева, Е. А. Исследование вакансионно-кислородных комплексов в облученных быстрыми электронами и нейтронами кристаллах кремния методом ИК поглощения / Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин // Весці НАН Беларусі. Сер. фіз.-мат. навук. – 2014. – № 2. – С. 101–104.Толкачева, Е. А. Исследование вакансионно-кислородных комплексов в облученных быстрыми электронами и нейтронами кристаллах кремния методом ИК поглощения / Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин // Весці НАН Беларусі. Сер. фіз.-мат. навук. – 2014. – № 2. – С. 101–104.Lee, Y.-H. EPR studies of defects in electron-irradiated silicon: A triplet state of vacancy-oxygen complexes / Y.-H. Lee, J. W. Corbett // Phys. Rev. B. – 1976. – Vol. 13, N 6. – P. 2653–2666.Lee, Y.-H. EPR studies of defects in electron-irradiated silicon: A triplet state of vacancy-oxygen complexes / Y.-H. Lee, J. W. Corbett // Phys. Rev. B. – 1976. – Vol. 13, N 6. – P. 2653–2666.Lee, Y.-H. Oxygen-vibrational bands in irradiated silicon / Y.-H. Lee, G. C. Corelli, J. W. Corbett // Physics Letters. – 1977. – Vol. 60A, N 2. – P. 55–57.Lee, Y.-H. Oxygen-vibrational bands in irradiated silicon / Y.-H. Lee, G. C. Corelli, J. W. Corbett // Physics Letters. – 1977. – Vol. 60A, N 2. – P. 55–57.Ramdas, A. K. Infrared absorption spectra of oxygen-defect complexes in irradiated silicon / A. K. Ramdas, M. G. Rao // Phys. Rev. – 1966. – Vol. 142, N 2. – P. 451–456.Ramdas, A. K. Infrared absorption spectra of oxygen-defect complexes in irradiated silicon / A. K. Ramdas, M. G. Rao // Phys. Rev. – 1966. – Vol. 142, N 2. – P. 451–456.Толкачева, Е. А. Влияние изотопного состава природного кремния на локальные колебательные моды вакансионно-кислородных комплексов / Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин // ЖПС. – 2013. – Т. 80, № 4. – С. 582–586.Толкачева, Е. А. Влияние изотопного состава природного кремния на локальные колебательные моды вакансионно-кислородных комплексов / Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин // ЖПС. – 2013. – Т. 80, № 4. – С. 582–586.Annealing of the divacancy-oxygen and vacancy-oxygen complexes in silicon / M. Mikelsen [et al.] // Phys. Rev. B. – 2007. – Vol. 13, N 15. – P. 155202 (1–8).Annealing of the divacancy-oxygen and vacancy-oxygen complexes in silicon / M. Mikelsen [et al.] // Phys. Rev. B. – 2007. – Vol. 13, N 15. – P. 155202 (1–8).

The authors declare that there are no conflicts of interest present.