Наличие метода, обеспечивающего возможность контролируемого создания объемного «рисунка», состоящего из областей с требуемыми физическими и химическими свойствами, является ключевым условием для радикального прогресса в технологии XXI в. Это особенно актуально, если метод позволяет обеспечить создание таких областей с размерами вплоть до нанометровых. В работе впервые предлагается способ целенаправленной прямой трансформации характеристик кремниевого биполярного мощного СВЧ-транзистора за счет изменения химического состава на границе молибден–кремний, электрофизических свойств молибден-кремниевых контактов, электрофизических характеристик областей транзисторной структуры, облучая ионами фосфора сформированные омические контакты молибден–кремний к эмиттерам транзистора. Возможности этого метода исследованы и подтверждены экспериментами.
The key condition for radical progress in technology in the 21th century is the availability of a technique for the controlled production in a solid of 3D patterns incorporating regions of desired physical and chemical properties. It is especially urgent for the creation of nanometer areas. In this article, a method for changing the silicon bipolar microwave power transistor’s characteristics in a direct and deliberate manner by modifying the chemical composition at the molybdenum–silicon boundary, the electrophysical properties of molybdenum–silicon contacts, and the electrophysical characteristics of transistor structure areas by the phosphorus ions irradiation of generated оhmic molybdenum–silicon contacts to the transistor emitters is proposed for the first time. The possibilities of this method are investigated and confirmed experimentally.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.