Preview

Доклады Национальной академии наук Беларуси

Расширенный поиск

ДРЕЙФ И ДИФФУЗИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПО ДВУХУРОВНЕВЫМ (ТРЕХЗАРЯДНЫМ) ТОЧЕЧНЫМ ДЕФЕКТАМ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Аннотация

В дрейфово-диффузионном приближении рассматривается миграция как одиночных электронов, так и пар электронов (биполяронов) посредством прыжков их между неподвижными точечными дефектами одного сорта (вида) в трех зарядовых состояниях (–1, 0, +1) при наложении на полупроводник внешнего электрического поля. Получены аналитические выражения для длины экранирования стационарного электрического поля и длины диффузии электронов, прыгающих по таким дефектам кристаллической решетки.

Об авторах

Н. А. ПОКЛОНСКИЙ
Белорусский государственный университет, Минск
Беларусь


А. И. КОВАЛЕВ
Белорусский государственный университет, Минск
Беларусь


С. А. ВЫРКО
Белорусский государственный университет, Минск
Беларусь


Список литературы

1. Поклонский Н. А. // Междунар. зимняя школа по физике полупроводников 2011: Науч. прогр. и тез. докл., С.-Петербург – Зеленогорск, 25–28 февр. 2011 г. СПб., 2011. С. 43–48.

2. Поклонский Н. А., Вырко С. А., Забродский А. Г. // ФТП. 2008. Т. 42, № 12. С. 1420–1425.

3. Pollak M. // Phys. Status Solidi B. 2002. Vol. 230, N 1. P. 295–304.

4. Radiation effects in semiconductors / ed. by K. Iniewski. Boca Raton, 2011. – 420 p.

5. Брудный В. Н., Колин Н. Г., Смирнов Л. С. // ФТП. 2007. Т. 41, № 9. С. 1031–1040.

6. Поклонский Н. А., Лопатин С. Ю. // ФТТ. 1998. Т. 40, № 10. С. 1805–1809.

7. Poklonskii N. A., Stelmakh V. F., Tkachev V. D., Voitikov S. V. // Phys. Status Solidi B. 1978. Vol. 88, N 2. P. K165–K168.

8. Poklonski N. A., Vyrko S. A., Zabrodskii A. G. // Semicond. Sci. Technol. 2010. Vol. 25, N 8. P. 085006 (6 pp.).

9. Poklonski N. A., Vyrko S. A., Zabrodskii A. G. // Solid State Commun. 2009. Vol. 149, N 31–32. P. 1248–1253.

10. Poklonski N. A., Stelmakh V. F. // Phys. Status Solidi B. 1983. Vol. 117, N 1. P. 93–99.

11. Поклонский Н. А., Стельмах В. Ф., Ткачев В. Д. // Докл. АН БССР. 1976. Т. 20, № 9. С. 783–785.

12. Красинькова М. В., Мойжес Б. Я. // ФТП. 1990. Т. 24, № 11. С. 1934–1942.

13. Каширина Н. И., Лахно В. Д. // УФН. 2010. Т. 180, № 5. С. 449–473.

14. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М., 1990. – 688 с.

15. Арнольд В. И. Обыкновенные дифференциальные уравнения. Ижевск, 2000. – 368 с.

16. Manifacier J.-C., Henisch H. K. // J. Phys. Chem. Solids. 1980. Vol. 41, N 11. P. 1285–1288.


Рецензия

Просмотров: 713


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-8323 (Print)
ISSN 2524-2431 (Online)