ВЛИЯНИЕ ВАКАНСИОННЫХ ДЕФЕКТОВ И ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ ДВУМЕРНЫХ КРИСТАЛЛОВ MoS2, MoSе2, WS2 И WSe2
Аннотация
Исследованы возможности регулирования ширины запрещённой зоны у двумерных дихалькогенидов тугоплавких металлов MoS2, MoSe2, WS2 и WSe2 за счёт примесных атомов или вакансий. Рассмотрены случаи, когда атом кислорода замещает атом халькогена либо адсорбирован на поверхности. Замещающая примесь приводит к незначительному увеличению ширины запрещённой зоны, адсорбция атомов кислорода – к её уменьшению относительно нелегированного материала. Вакансия на месте атома халькогена приводит к изменению дисперсии зон и появлению дополнительных энергетических уровней.
Об авторах
А. В. Кривошеева
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник
Беларусь
канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник
В. Л. Шапошников
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник
Беларусь
канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник
В. Е. Борисенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Россия
д-р физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой
Россия
д-р физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой
Список литературы
1. Китайгородский, А. И. Молекулярные кристаллы / А. И. Китайгородский. – M.: Наука, 1971. – 424 с.
2. Single-layer MoS2 transistors / B. Radisavljevic [et al.] // Nature Nanotechnology. – 2011. – Vol. 6. – P. 147–150.
3. Radisavljevic, B. Integrated circuits and logic operations based on single-layer MoS2 / B. Radisavljevic, M. B. Whitwick, A. Kis // ACS Nano. – 2011. – Vol. 5. – P. 9934–9938.
4. Single-layer MoS2 phototransistors / Z. Yin [et al.] // ACS Nano. – 2012. – Vol. 6 (1). – P. 74–80. doi: 10.1021/nn2024557.
5. Electrical characterization of back-gated bi-layer MoS2 field-effect transistors and the effect of ambient on their performances / H. Qiu [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2012. – Vol. 100. – P. 123104 (1–3). doi.org/10.1063/1.3696045.
6. Кривошеева, А. В. Перспективные полупроводниковые соединения и наноструктуры для оптоэлектроники, фотовольтаики и спинтроники / А. В. Кривошеева // Докл. БГУИР. – 2016. – № 3 (97). – С. 12–17.
7. Electronic and dynamical properties of bulk and layered MoS2 / A. V. Krivosheeva [et al.] // Докл. БГУИР. – 2014. – № 5 (83). – С. 34–37.
8. Ceperley, D. M. Ground State of the Electron Gas by a Stochastic Method / D. M. Ceperley, B. J. Alder // Phys. Rev. Lett. – 1980. – Vol. 45. – P. 566–569.
9. Perdew, J. P. Generalized gradient approximation made simple / J. P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof // Phys. Rev. Lett. – 1996. – Vol. 77, N 18. – P. 3865–3868.
10. Kresse, G. Efficient interactive schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set / G. Kresse, J. Furthmüller // Phys. Rev. B. – 1996. – Vol. 54, N 16. – P. 11169–11186.
11. Kadantsev, E. S. Electronic structure of a single MoS2 monolayer / E. S. Kadantsev, P. Hawrylak // Solid State Commun. – 2012. – Vol. 152. – P. 909–913.
Рецензия
Просмотров: 884
Послать статью по эл. почте 