ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ, ОСАЖДАЕМЫХ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ

Методами атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии, а также спектрофотометрии исследованы морфология поверхности и оптические характеристики тонких Si-покрытий, сформированных методом магнетронного распыления. Показано, что при контролируемой вариации технологических параметров магнетронного распыления таких, как температура подложки и потенциал смещения, можно менять морфологию поверхности пленок Si. Для некоторых режимов осаждения обнаружено появление на поверхности нитевидных структур и/или круглых углублений, изменения положения минимумов и максимумов в оптических спектрах отражения и пропускания. 

1. Немчинова, Н. В. Кремний в XXI веке / Н. В. Немчинова, В. Э. Клёц, А. И. Непомнящих // Фундаментальные исследования. – 2006. – № 12. – С. 13–17.

2. Анализ рамановских спектров аморфно-нанокристаллических пленок кремния / С. В. Гайслер [и др.] // Физика твердого тела. – 2004. – Т. 46, № 8. – С. 1484–1488.

3. Magnetron sputtering – Milestones of 30 years / G. Bräuer [et al.] // Vacuum. – 2010. – Vol. 84, N 12. – P. 1354–1359. doi.org/10.1016/j.vacuum.2009.12.014

4. Growth and structural properties of silicon on Ag films prepared by 40.68 MHz very-high-frequency magnetron sputtering / J. Guo [et al.] // Plasma Science and Technology. – 2017. – Vol. 19, N 7. – 075502 (8 pp). doi.org/10.1088/2058-6272/ aa6395

5. Effect of driving frequency on the structure of silicon grown on Ag (111) films by very-high-frequency magnetron sputtering / J. Guo [et al.] // Chinese Physics B. – 2017. – Vol. 26, N 6. – 065207 (5 pp). doi.org/10.1088/1674-1056/26/6/065207

6. Silicon nanowires prepared by hydrogen-assisted rf-magnetron sputtering on bismuth-coated ITO glass / H. Wu [et al.] // Materials Letters. – 2017. – N 188. – P. 312–315. doi.org/10.1016/j.matlet.2016.09.049

7. Заверюхин, Б. Н. Изменение коэффициента отражения излучения от поверхности полупроводников в спектральном диапазоне λ = 0,2–20 мкм под воздействием ультразвуковых волн / Б. Н. Заверюхин, Н. Н. Заверюхина, О. М. Турсункулов // Письма в Журнал технической физики. – 2002. – Т. 28, № 18. – С. 1–12.

8. Textured silicon: A selective absorber for solar thermal conversion / J. I. Gittleman [et al.] // Applied Physics Letters. – 1979. – Vol. 35, N 10. – P. 742–744. doi.org/10.1063/1.90953

9. Micro- and Nanostructured Surfaces for Selective Solar Absorption / I. E. Khodasevych [et al.] // Advanced Optical Materials. – 2015. – Vol. 3, N 7. – P. 852–881. doi.org/10.1002/adom.201500063

10. Kurtin, S. Ion implantation damage of silicon as observed by optical reflection spectroscopy in the 1 to 6 eV region / S. Kurtin, G. A. Shifrin, T. C. McGill // Applied Physics Letters. – 1969. – Vol. 14, N 7. – P. 223–225. doi.org/10.1063/1.1652788