Preview

Доклады Национальной академии наук Беларуси

Расширенный поиск

РАСЧЕТ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В РАМКАХ МЕТОДА ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ

Аннотация

В рамках теории функционала плотности развит метод расчета ширины запрещенной зоны полупроводников. Рассчитана ширина запрещенной зоны для ряда одноатомных и двухатомных полупроводников Sn, Ge, Si, С, BN(c), SiC((3)(F43m), 2H-SiC(P63mc), A1N, GaN. Метод позволил получить значения ширины запрещенной зоны практически с экспериментальной степенью точности. На примере дефекта вакансия–кислород (А-центр) показано, что развитый метод может быть использован также для расчета как локализованных состояний (энергии глубоких уровней дефектов в кристалле), так и электронных свойств наноструктур.

Просмотров: 1092


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-8323 (Print)
ISSN 2524-2431 (Online)