РАСЧЕТ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В РАМКАХ МЕТОДА ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ
Аннотация
В рамках теории функционала плотности развит метод расчета ширины запрещенной зоны полупроводников. Рассчитана ширина запрещенной зоны для ряда одноатомных и двухатомных полупроводников Sn, Ge, Si, С, BN(c), SiC((3)(F43m), 2H-SiC(P63mc), A1N, GaN. Метод позволил получить значения ширины запрещенной зоны практически с экспериментальной степенью точности. На примере дефекта вакансия–кислород (А-центр) показано, что развитый метод может быть использован также для расчета как локализованных состояний (энергии глубоких уровней дефектов в кристалле), так и электронных свойств наноструктур.
Список литературы
1. Xiao Zheng et al. // Phys. Rev. Lett. 2011. Vol. 107, N 2. P. 026403-1–026403-4.
2. Sham L. J., Schlüter M. // Phys. Rev. Lett. 1983. Vol. 51, N 20. P. 1888–1890.
3. Paula Mori-Sánchez, Aron J. Cohen, Weitao Yang // Phys. Rev. Lett. 2008. Vol. 100, N 14. P. 146401-1–146401-4.
4. Godby R. W., Schlüter M., Sham L. J. // Phys. Rev. B 1987. Vol. 35, N 8. P. 4170–4171(R).
5. Chan M. K. Y., Ceder G. // Phys. Rev. Lett. 2010. Vol. 105. P. 196403-1–196403-3.
6. Runge E., Gross E. K. U. // Phys. Rev. Lett. 1984. Vol. 52, N 12. P. 997–1000.
7. Stadele M. et al. // Phys. Rev. B 1999. Vol. 59, N 15. P. 10031–10042.
8. Tran F., Blaha P. // Phys. Rev. Lett. 2009. Vol. 102, N 22. P. 226401-1–226401-4.
9. Hedin L. // Phys. Rev. 1965. Vol. 139, N 3A. P. 796–823.
10. Camargo-Martinez J. A., Baquero R. // Phys. Rev. B. 2012. Vol. 86. P. 195106.
11. Кон В. // УФН. 2002. Т. 172, № 3. С. 336–348.
12. Kim K., Jordan K. D. J. // Phys. Chem. 1994. Vol. 98, N 40. P. 10089–10094.
Рецензия
Просмотров: 1097
Послать статью по эл. почте 