СЕНСОРЫ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР ОКСИДА ЦИНКА НА ПОДЛОЖКАХ НИОБАТА ЛИТИЯ
Анатацыя
Разработана оригинальная конструкция сенсора для ультрафиолетового (УФ) излучения на основе монокристаллических наноструктур оксида цинка на подложках ниобата лития с использованием ПАВ резонатора с аподизованным штыревым преобразователем и реверсивным многополосковым ответвителем. В качестве чувствительного к УФ излучению слоя были предложены выращенные гидротермальным методом структуры на основе наностержней ZnO и ZnO:Al. Установлено, что структуры обоих типов обладают высокой селективностью в УФ области спектра. Показано, что сдвиг частоты для сенсора, модифицированного наностержнями ZnO, составляет около 140 кГц, а для сенсора, модифицированного наностержнями ZnO с легированием алюминием, – около 110 кГц при интенсивности УФ излучения 46 мкВт/см2. Изготовленные сенсоры УФ излучения на ПАВ продемонстрировали хорошую технологическую воспроизводимость, высокую механическую стойкость и полное восстановление частотных параметров резонатора. Рассчитана величина, характеризующая квадрат коэффициента электромеханической связи ниобата лития 128°YX-среза, модифицированного структурой наностержней ZnO, в процессе облучения ультрафиолетовым излучением.
Аб аўтарах
Г. ПАШКЕВИЧ
НИИ прикладной электроники Национального технического университета Украины «Киевский политехнический институт»
Украіна
Украіна
П. РОПОТ
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск
Беларусь
Беларусь
В. УЛЬЯНОВА
НИИ прикладной электроники Национального технического университета Украины «Киевский политехнический институт»
Украіна
Украіна
А. ЗАЗЕРИН
НИИ прикладной электроники Национального технического университета Украины «Киевский политехнический институт»
Украіна
Украіна
Спіс літаратуры
1. Munoz E. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. Vol. 13. P. 7115–7121.
2. Bai S. et al. // Adv. Funct. Mater. 2011. Vol. 21, N 23. P. 4464–4469.
3. Mamat M. H. et al. // Sensors and Actuators B: Chemical. 2014. Vol. 195. P. 609–622.
4. Jo M., Lee K. J., Yang S. S. // Sensors and Actuators A: Physical. 2014. Vol. 210. P. 59–66.
5. Peng W. et al. // Sensors and Actuators A: Physical. 2012. Vol. 184. P. 34–40.
6. Пашкевич Г. А. и др. // Научные проблемы современной физики: тезисы докладов Респуб. науч. конф., посвящ. 90-летию со дня рождения акад. Н. А. Борисевича. Минск, 2013. С. 152–155.
7. Pashkevich G. et al. // 34th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO). IEEE. 2014. P. 51–53.
8. Пашкевич Г. А. и др. // Весці НАН Беларусі. Сер. фіз.-мат. навук. 2014. № 3. C. 117–122.
9. Речицкий В. И. Радиокомпоненты на поверхностных акустических волнах. М., 1984.
10. Ricco A. J. et al. // Sensors and Actuators. 1985. Vol. 8. P. 319–333.
##reviewer.review.form##
Праглядаў: 796
Паслаць артыкул па эл. пошце 