Поверхностно-барьерные структуры на основе твердых растворов (In 2 S 3 ) х •(AgIn 5 S 8 ) 1–х
https://doi.org/10.29235/1561-8323-2021-65-6-764-768
Аннотация
Методом направленной кристаллизации расплава (метод Бриджмена) выращены монокристаллы твердых растворов (In2S3)x·(AgIn5S8)1–x, проведены исследования элементного состава, кристаллической структуры и удельного сопротивления. На основе выращенных монокристаллов созданы фоточувствительные структуры In/(In2S3)x·(AgIn5S8)1–x и определены фотоэлектрические свойства данных структур. Показана возможность использования созданных структур в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения.
Об авторах
А. А. Фещенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Фещенко Артем Александрович – аспирант
ул. П. Бровки, 6, 220013, Минск, Республика Беларусь
В. В. Хорошко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Хорошко Виталий Викторович – канд. техн. наук, заведующий кафедрой
ул. П. Бровки, 6, 220013, Минск, Республика Беларусь
Список литературы
1. Боднарь, И. В. Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In2S3)x(AgIn5S8)1–x / И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко // Физика и техника полупроводников. – 2020. – Т. 54, № 12. – С. 1350–1354. https://doi.org/10.21883/ftp.2020.12.50236.9500
2. Полубок, В. А. Выращивание и исследование свойств кристаллов In2S3 / В. А. Полубок, A. M. Ковальчук // Физика конденсированного состояния: тез. докл. XIII Респ. науч. конф. аспирантов, магистрантов и студентов, Гродно, 26–28 апр. 2005 / редкол.: В. А. Лиопо [и др.]. − Гродно, 2005. – С. 183–186.
3. Боднарь, И. В. Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны твердых растворов (MnIn2S4)1−x•(AgIn5S8)x / И. В. Боднарь, Бинь Тхан Чан // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т. 52, № 8. – С. 958–962. https://doi.org/10.21883/ftp.2018.08.46227.8643
4. Шербан, К. Ф. Получение и исследования оптических и фотоэлектрических свойств твердых растворов в системах CdS–In 2S3 и AgInS2-In2S3 / К. Ф. Шербан. – Кишинев, 1974. – 145 с.
5. The In–In 2S3 System / M. F. Stubbs [et al.] // J. American Chemical Society. – 1952. – Vol. 74, N 6. – P. 1441–1443. https://doi.org/10.1021/ja01126a024
6. Т-х-фазовая диаграмма системы In–S / А. Ю. Завражнов [и др.] // Неорганические материалы. – 2006. – Т. 42, № 12. – С. 1420–1424.
7. Ansell, H. G. Phase relationships in the In–S system / H. G. Ansell, R. S. Boorman // J. Electrochemical Society. – 1971. – Vol. 118, N 1. – P. 133–136. https://doi.org/10.1149/1.2407925
8. Phase equilibria in the quasiternary system Ag2S–Ga2S3–In2S3 and optical properties of (Ga55In45)2S300, (Ga54.59In44.66Er0.75)2S300 single crystals / I. A. Ivashchenko [et al.] // Journal of Solid State Chemistry. – 2015. – Vol. 224. – Р. 255–264. https://doi.org/10.1016/j.jssc.2015.04.006
9. Phase equilibria in the quasi-ternary system Ag2S–In2S3–CdS at 870 K / V. R. Kozera [et al.] // Journal of Alloys and Compounds. – 2009. – Vol. 480, N 2. – P. 360–364. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.02.052
10. Палатник, Л. С. Диаграммы равновесия и структура полупроводниковых сплавов A2ICVI–B2IIIC3VI / Л. С. Палатник, Е. И. Рогачева // Докл. АН СССР. – 1967. – Т. 174, № 1. – С. 80–83.
Рецензия
Просмотров: 462
Послать статью по эл. почте 