Электрические свойства черного мышьяка

Анатацыя

Исследована структура, а также зависимости электрического сопротивления R(T) от температуры поликристалла природного черного мышьяка (b-As). Образцы b-As содержали как фазу черного мышьяка и следы его окисла, так и фазу серого мышьяка и арсенолита (As₂O₃). Поведение относительного магнетосопротивления MR(B) кристалла b-As при постоянной температуре описывалось соотношением MR(B) = bBⁿ+ cB^m, где коэффициенты b и с, а также показатели степени n и m определялись механизмами формирования магнетосопротивления и зависели от температуры. При температурах ниже 10 К зависимость MR(B) показывает наличие конкуренции отрицательного (при b < 0 и n ≈ 0,5) и положительного (при с > 0 и m ≈ 1) вкладов. При температуре T > 10 К наблюдался только ПМР эффект, для которого в диапазоне 10 < T < 100 К величины b > 0, n ≈ 1 и с → 0. При Т > 100 К величины b, с > 0, n ≈ 1 и 1,30 ≤ m ≤ 1,47. Наблюдаемое поведение зависимостей MR(B) в широком диапазоне температур обусловлено сильной неоднородностью и неупорядоченностью структуры исследуемого кристалла черного мышьяка.