Preview

Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus

Advanced search

DRIFT AND DIFFUSION OF ELECTRONS VIA TWO-LEVEL (TRIPLE-CHARGED) POINT DEFECTS IN CRYSTALLINE SEMICONDUCTORS

Abstract

In the drift-diffusion approximation, we considered the migration of both single electrons and pairs of electrons (bipolarons) due to their hops via immobile point defects of one kind in three charge states (–1, 0, +1) when an external electric field is applied to a semiconductor. We found the analytical expressions for the screening length of the stationary electric field and for the diffusion length of electrons hopping via such defects of the crystalline lattice.

About the Authors

N. A. POKLONSKI
Белорусский государственный университет, Минск
Belarus


A. I. KOVALEV
Белорусский государственный университет, Минск
Belarus


S. A. VYRKO
Белорусский государственный университет, Минск
Belarus


References

1. Поклонский Н. А. // Междунар. зимняя школа по физике полупроводников 2011: Науч. прогр. и тез. докл., С.-Петербург – Зеленогорск, 25–28 февр. 2011 г. СПб., 2011. С. 43–48.

2. Поклонский Н. А., Вырко С. А., Забродский А. Г. // ФТП. 2008. Т. 42, № 12. С. 1420–1425.

3. Pollak M. // Phys. Status Solidi B. 2002. Vol. 230, N 1. P. 295–304.

4. Radiation effects in semiconductors / ed. by K. Iniewski. Boca Raton, 2011. – 420 p.

5. Брудный В. Н., Колин Н. Г., Смирнов Л. С. // ФТП. 2007. Т. 41, № 9. С. 1031–1040.

6. Поклонский Н. А., Лопатин С. Ю. // ФТТ. 1998. Т. 40, № 10. С. 1805–1809.

7. Poklonskii N. A., Stelmakh V. F., Tkachev V. D., Voitikov S. V. // Phys. Status Solidi B. 1978. Vol. 88, N 2. P. K165–K168.

8. Poklonski N. A., Vyrko S. A., Zabrodskii A. G. // Semicond. Sci. Technol. 2010. Vol. 25, N 8. P. 085006 (6 pp.).

9. Poklonski N. A., Vyrko S. A., Zabrodskii A. G. // Solid State Commun. 2009. Vol. 149, N 31–32. P. 1248–1253.

10. Poklonski N. A., Stelmakh V. F. // Phys. Status Solidi B. 1983. Vol. 117, N 1. P. 93–99.

11. Поклонский Н. А., Стельмах В. Ф., Ткачев В. Д. // Докл. АН БССР. 1976. Т. 20, № 9. С. 783–785.

12. Красинькова М. В., Мойжес Б. Я. // ФТП. 1990. Т. 24, № 11. С. 1934–1942.

13. Каширина Н. И., Лахно В. Д. // УФН. 2010. Т. 180, № 5. С. 449–473.

14. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М., 1990. – 688 с.

15. Арнольд В. И. Обыкновенные дифференциальные уравнения. Ижевск, 2000. – 368 с.

16. Manifacier J.-C., Henisch H. K. // J. Phys. Chem. Solids. 1980. Vol. 41, N 11. P. 1285–1288.


Review

Views: 795


Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1561-8323 (Print)
ISSN 2524-2431 (Online)