ТВЕРДОФАЗНАЯ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МЕХАНИЧЕСКИ НАРУШЕННОГО СЛОЯ КРЕМНИЯ ПРИ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКЕ
https://doi.org/10.29235/1561-8323-2018-62-3-347-352
Анатацыя
Состояние поверхности кремниевых пластин является одним из фундаментальных факторов, определяющих качество и надежность интегральных схем. В связи с этим большое внимание уделяется вопросам ее подготов-ки перед процессом их формирования. Одним из возможных путей улучшения поверхностных свойств кремния может явиться его твердофазная рекристаллизация с использованием быстрой термической обработки импульсами секундной длительности. Цель работы заключалась в исследовании влияния быстрой термической обработки на структуру нарушенного слоя поверхности кремниевых пластин после химико-механической полировки. В качестве образцов использо-вались пластины кремния диаметром 100 мм марки КДБ 12 и КЭФ 4,5 ориентации <100>после химико-механической полировки, прошедшие быструю термическую обработку в течение 7 с, что обеспечивало их нагрев до 1100 °С и без
обработки. Методами оже-спектроскопии, спектральной эллипсометрии, рентгеновской дифракции показано, что такая обработка приводит к увеличению структурного совершенства поверхностного слоя кремниевых пластин, за счет уменьшения глубины механически нарушенного слоя, обеспечивая получение атомарно-плоской поверхности.
Аб аўтарах
В. ПилипенкоБеларусь
В. Солодуха
Беларусь
В. Горушко
Беларусь
А. Омельченко
Беларусь
Спіс літаратуры
1. Tong, Q.-Y. Wafer bonding and layer splitting for Microsystems / Q.-Y. Tong, М. Gosele // Adv. Mater. – 1999. – Vol. 11, N 17. – Р. 1409–1425. https://doi.org/10.1002/(sici)1521-4095(199912)11:17%3C1409::aid-adma1409%3E3.0.co;2-w
2. Красников, Г. Я. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев – М.: Микрон-принт, 1999. – Ч. 2. – 216 с.
3. Концевой, Ю. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур / Ю. А. Концевой, Ю. М. Литвинов, Э. А. Фаттахов – М.: Радио и связь, 1982. – 240 с.
4. Свойства поверхности кремния после лазерной обработки импульсами наносекундной длительности / В. А. Пи-липенко [и др.] // ИФЖ. – 2008. – Т. 81, № 9. – C. 592.
5. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники / И. П. Степаненко – М.: Сов. радио, 1980. – 424 с.