CONTROLLED ION-BEAM TRANSFORMATION OF SILICON BIPOLAR MICROWAVE POWER TRANSISTOR’S CHARACTERISTICS
Abstract
The key condition for radical progress in technology in the 21th century is the availability of a technique for the controlled production in a solid of 3D patterns incorporating regions of desired physical and chemical properties. It is especially urgent for the creation of nanometer areas. In this article, a method for changing the silicon bipolar microwave power transistor’s characteristics in a direct and deliberate manner by modifying the chemical composition at the molybdenum–silicon boundary, the electrophysical properties of molybdenum–silicon contacts, and the electrophysical characteristics of transistor structure areas by the phosphorus ions irradiation of generated оhmic molybdenum–silicon contacts to the transistor emitters is proposed for the first time. The possibilities of this method are investigated and confirmed experimentally.
About the Authors
V. A. SOLODUKHA
Открытое акционерное общество «Интеграл», Минск
Belarus
Belarus
Yu. P. SNITOVSKY
Открытое акционерное общество «Интеграл», Минск
Belarus
Belarus
References
1. Гурович Б. А., Долгий Д. Н., Кулешова Е. А. и др. // УФН. 2001. Т. 171, № 1. С. 105–117.
2. Способ изготовления СВЧ-транзисторов: а. с. 897048 СССР, МКИ3 H01L 21/331 / В. Ф. Данилов, Ю. П. Снитовский, А. А. Рассадин, В. П. Калиновченко; заявл. 09.09.1980, опубл. 20.03.2012 // Офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» / Федеральная служба по интеллектуал. собственности, патентам и товарным знакам РФ. 2012. № 8. С. 486.
3. Снитовский Ю. П. // Электрон. промышленность. 1992. № 1. С. 59–60.
4. Способ изготовления транзисторов: а. с. 1828333 СССР, МКИ5 H01L 21/33 / Ю. П. Снитовский, А. П. Матюшевский; заявл. 04.11.1989, опубл. 20.03.2012 // Офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» / Федеральная служба по интеллектуал. собственности, патентам и товарным знакам РФ. 2012. № 8. С. 488.
5. http://www.silvaco.com.
6. Гурский Л. И., Зеленин В. А., Бобченок Ю. Л. и др. // Изв. АН БССР. Сер. физ.-техн. наук. 1981. № 1. С. 112–116.
7. Tokuyama T., Miyao M., Yoshihir N. // Japan. J. Appl. Phys. 1978. Vol. 17, N 8. P. 1301–1315.
8. Аброян И. А., Дубро В. В., Ильин И. А. и др. // Электрон. техника. Сер. 2. 1981. Вып. 4. С. 36–40.
9. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М., 1977.
10. Chiang S. W., Chow T. P., Reihi R. F., Wang K. L. // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52, N 6. P. 4027–4032.
11. Гурский Л. И., Зеленин В. А., Бобченок Ю. Л. // Физика и химия обработки материалов. 1984. № 5. С. 72–75.
12. Snitovsky Y. P., Efremov V. A. // Proceedings of SPIE. 2009. Vol. 7377. P. 737718-1–737718-5.
13. Тагер А. С. // Литовский физический сб. 1981. Т. 21, № 4. С. 23–44.
14. Снитовский Ю. П. // Тр. XIV Междунар. совещания «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 5–10 июля 2004 г. М., 2004. С. 445–449.
15. Способ изготовления транзистора: пат. 15265 Респ. Беларусь, МПК7 H 01L 21/331 / Ю. П. Снитовский, В. В. Нелаев, В. А. Ефремов; заявл. 22.04.2009; опубл. 30.12.2011 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi.
16. № 6. С. 174.
Review
Views: 877
Email this article 