1. Gurovich B. A., Dolgii D. N., Kuleshova E. A. i dr. // UFN. 2001. T. 171, № 1. S. 105-117.
2. Sposob izgotovleniya SVCh-tranzistorov: a. s. 897048 SSSR, MKI3 H01L 21/331 / V. F. Danilov, Yu. P. Snitovskii, A. A. Rassadin, V. P. Kalinovchenko; zayavl. 09.09.1980, opubl. 20.03.2012 // Ofits. byul. «Izobreteniya. Poleznye modeli» / Federal'naya sluzhba po intellektual. sobstvennosti, patentam i tovarnym znakam RF. 2012. № 8. S. 486.
3. Snitovskii Yu. P. // Elektron. promyshlennost'. 1992. № 1. S. 59-60.
4. Sposob izgotovleniya tranzistorov: a. s. 1828333 SSSR, MKI5 H01L 21/33 / Yu. P. Snitovskii, A. P. Matyushevskii; zayavl. 04.11.1989, opubl. 20.03.2012 // Ofits. byul. «Izobreteniya. Poleznye modeli» / Federal'naya sluzhba po intellektual. sobstvennosti, patentam i tovarnym znakam RF. 2012. № 8. S. 488.
5. http://www.silvaco.com.
6. Gurskii L. I., Zelenin V. A., Bobchenok Yu. L. i dr. // Izv. AN BSSR. Ser. fiz.-tekhn. nauk. 1981. № 1. S. 112-116.
7. Tokuyama T., Miyao M., Yoshihir N. // Japan. J. Appl. Phys. 1978. Vol. 17, N 8. P. 1301-1315.
8. Abroyan I. A., Dubro V. V., Il'in I. A. i dr. // Elektron. tekhnika. Ser. 2. 1981. Vyp. 4. S. 36-40.
9. Milns A. Primesi s glubokimi urovnyami v poluprovodnikakh. M., 1977.
10. Chiang S. W., Chow T. P., Reihi R. F., Wang K. L. // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52, N 6. P. 4027-4032.
11. Gurskii L. I., Zelenin V. A., Bobchenok Yu. L. // Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1984. № 5. S. 72-75.
12. Snitovsky Y. P., Efremov V. A. // Proceedings of SPIE. 2009. Vol. 7377. P. 737718-1-737718-5.
13. Tager A. S. // Litovskii fizicheskii sb. 1981. T. 21, № 4. S. 23-44.
14. Snitovskii Yu. P. // Tr. XIV Mezhdunar. soveshchaniya «Radiatsionnaya fizika tverdogo tela», Sevastopol', 5-10 iyulya 2004 g. M., 2004. S. 445-449.
15. Sposob izgotovleniya tranzistora: pat. 15265 Resp. Belarus', MPK7 H 01L 21/331 / Yu. P. Snitovskii, V. V. Nelaev, V. A. Efremov; zayavl. 22.04.2009; opubl. 30.12.2011 // Afitsyiny byul. / Nats. tsentr intelektual. ulasnastsi.
16. № 6. S. 174.