УПРАВЛЯЕМАЯ ТРАНСФОРМАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ БИПОЛЯРНЫХ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ ИОННЫМИ ПУЧКАМИ
Аннотация
Наличие метода, обеспечивающего возможность контролируемого создания объемного «рисунка», состоящего из областей с требуемыми физическими и химическими свойствами, является ключевым условием для радикального прогресса в технологии XXI в. Это особенно актуально, если метод позволяет обеспечить создание таких областей с размерами вплоть до нанометровых. В работе впервые предлагается способ целенаправленной прямой трансформации характеристик кремниевого биполярного мощного СВЧ-транзистора за счет изменения химического состава на границе молибден–кремний, электрофизических свойств молибден-кремниевых контактов, электрофизических характеристик областей транзисторной структуры, облучая ионами фосфора сформированные омические контакты молибден–кремний к эмиттерам транзистора. Возможности этого метода исследованы и подтверждены экспериментами.
Об авторах
В. А. СОЛОДУХА
Открытое акционерное общество «Интеграл», Минск
Беларусь
Беларусь
Ю. П. СНИТОВСКИЙ
Открытое акционерное общество «Интеграл», Минск
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Гурович Б. А., Долгий Д. Н., Кулешова Е. А. и др. // УФН. 2001. Т. 171, № 1. С. 105–117.
2. Способ изготовления СВЧ-транзисторов: а. с. 897048 СССР, МКИ3 H01L 21/331 / В. Ф. Данилов, Ю. П. Снитовский, А. А. Рассадин, В. П. Калиновченко; заявл. 09.09.1980, опубл. 20.03.2012 // Офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» / Федеральная служба по интеллектуал. собственности, патентам и товарным знакам РФ. 2012. № 8. С. 486.
3. Снитовский Ю. П. // Электрон. промышленность. 1992. № 1. С. 59–60.
4. Способ изготовления транзисторов: а. с. 1828333 СССР, МКИ5 H01L 21/33 / Ю. П. Снитовский, А. П. Матюшевский; заявл. 04.11.1989, опубл. 20.03.2012 // Офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» / Федеральная служба по интеллектуал. собственности, патентам и товарным знакам РФ. 2012. № 8. С. 488.
5. http://www.silvaco.com.
6. Гурский Л. И., Зеленин В. А., Бобченок Ю. Л. и др. // Изв. АН БССР. Сер. физ.-техн. наук. 1981. № 1. С. 112–116.
7. Tokuyama T., Miyao M., Yoshihir N. // Japan. J. Appl. Phys. 1978. Vol. 17, N 8. P. 1301–1315.
8. Аброян И. А., Дубро В. В., Ильин И. А. и др. // Электрон. техника. Сер. 2. 1981. Вып. 4. С. 36–40.
9. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М., 1977.
10. Chiang S. W., Chow T. P., Reihi R. F., Wang K. L. // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52, N 6. P. 4027–4032.
11. Гурский Л. И., Зеленин В. А., Бобченок Ю. Л. // Физика и химия обработки материалов. 1984. № 5. С. 72–75.
12. Snitovsky Y. P., Efremov V. A. // Proceedings of SPIE. 2009. Vol. 7377. P. 737718-1–737718-5.
13. Тагер А. С. // Литовский физический сб. 1981. Т. 21, № 4. С. 23–44.
14. Снитовский Ю. П. // Тр. XIV Междунар. совещания «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 5–10 июля 2004 г. М., 2004. С. 445–449.
15. Способ изготовления транзистора: пат. 15265 Респ. Беларусь, МПК7 H 01L 21/331 / Ю. П. Снитовский, В. В. Нелаев, В. А. Ефремов; заявл. 22.04.2009; опубл. 30.12.2011 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуал. уласнасцi.
16. № 6. С. 174.
Рецензия
Просмотров:
926
Послать статью по эл. почте 