Preview

Доклады Национальной академии наук Беларуси

Пашыраны пошук

Структурные и оптические свойства оксида кремния, имплантированного ионами цинка: влияние степени пересыщения и термообработки

https://doi.org/10.29235/1561-8323-2020-64-3-273-281

Анатацыя

Методом просвечивающей электронной микроскопии и электронной дифракции изучен фазовоструктурный состав слоев аморфного оксида кремния, имплантированного ионами цинка, в зависимости от степени пересыщения примесью. Показано, что нанокластеры малого размера (1–2 нм) формируются уже в процессе ионной имплантации при комнатной температуре при концентрации цинка 6–7 ат. %, тогда как для формирования нанокластеров размером 5–7 нм необходима концентрация цинка 16–18 ат. %. Длительный печной отжиг при 750 °C в течение 2 ч приводит к формированию кристаллической фазы ромбического Zn2SiO4 (пространственная группа симметрии R-3) в случае меньшего флюенса (5 · 1016–2) и кубической фазы ZnO (пространственная группа симметрии F-43m) в случае бÓльшего флюенса (1 · 1017–2). Установлено, что потери примеси при имплантации, а также в процессе термообработки увеличиваются с ростом флюенса внедряемых ионов. Проведена оценка количества атомов цинка, находящихся в кластерах после проведения отжига: 15 и 18 % для флюенсов 5 · 1016 и 1 · 1017 cм–2 соответственно. Примесь, оставшаяся в растворенном состоянии в матрице SiO2, негативно влияет на интенсивность сигнала люминесценции от пленки оксида кремния с нанокристаллами Zn2SiO4 и ZnO.

Аб аўтарах

М. Моховиков
Институт прикладных физических проблем имени А. Н. Севченко Белорусского государственного университета
Беларусь


О. Мильчанин
Институт прикладных физических проблем имени А. Н. Севченко Белорусского государственного университета
Беларусь


И. Пархоменко
Белорусский государственный университет
Беларусь


Ф. Комаров
Институт прикладных физических проблем имени А. Н. Севченко Белорусского государственного университета
Беларусь


Л. Власукова
Белорусский государственный университет
Беларусь


Д. Королев
Нижегородский государственный университет имени Н. И. Лобачевского
Расія


А. Мудрый
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Беларусь


В. Живулько
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Беларусь


Арно ван Вуурен
Центр просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, Университет Нельсона Манделы
Паўднёва-Афрыканская Рэспубліка


Спіс літаратуры

1. Investigation of structural and electrical properties of ZnO varistor samples doped with different additives / M. M. Saadeldin [et al.] // NRIAG Journal of Astronomy and Geophysics. – 2018. – Vol. 7, N 2. – P. 201–207. https://doi.org/10.1016/j.nrjag.2018.06.002

2. Interface control for pure ultraviolet electroluminescence from nano-ZnO-based heterojunction devices / D. you [et al.] // Science Bulletin. – 2018. – Vol. 63, N 1. – P. 38–45. https://doi.org/10.1016/j.scib.2017.12.006

3. ZnO-based nanostructured electrodes for electrochemical sensors and biosensors in biomedical applications / N. P. Shetti [et al.] // Biosensors and Bioelectronics. – 2019. – Vol. 141. – Art. 111417 (12 p.). https://doi.org/10.1016/j.bios.2019.111417

4. Hsueh, T.-J. A transparent ZnO nanowire MEMS gas sensor prepared by an ITO micro-heater / T.-J. Hsueh, C.-H. Peng, W.-S. Chen // Sensors & Actuators: B. Chemical. – 2020. – Vol. 304. – Art. 127319 (32 p.). https://doi.org/10.1016/j.snb.2019.127319

5. Zhong, k. Photoluminescence from zinc oxide quantum dots embedded in silicon dioxide matrices / k. Zhong // Spectrosc. Lett. – 2013. – Vol. 46, N 3. – P. 160–164. https://doi.org/10.1080/00387010.2012.704475

6. Fabrication of ZnO nanoparticles in SiO2 by ion implantation combined with thermal oxidation / H. Amekura [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2005. – Vol. 87, N 1. – Art. 013109 (3 p.). https://doi.org/10.1063/1.1989442

7. Mayer, M. SIMNRA, a simulation program for the analysis of NRA, RBS and ERDA / M. Mayer // Application of Accelerators in Research and Industry. – New york, 1999. – Vol. 475 – P. 541–544. https://doi.org/10.1063/1.59188

8. Biersack, J. P. The Stopping and Range of Ions in Solids / J. P. Biersack, J. F. Ziegler // Ion Implantation Techniques. – Berchtesgaden, 1982. – Vol. 10. – P. 122–156. https://doi.org/10.1007/978-3-642-68779-2_5

9. Swanson, H. E. Standard x-ray diffraction powder patterns / H. E. Swanson, N. T. Gilfrich, M. I. Cook. – Washington, 1957. – Vol. 7. – P. 62–64. https://doi.org/10.6028/nbs.circ.539v7

10. kinetics of the Wurtzite-to-Rock-Salt Phase Transition in ZnO at High Pressure / V. L. Solozhenko [et al.] // J. Phys. Chem. A. – 2011. – Vol. 115, N 17. – P. 4354–4358. https://doi.org/10.1021/jp201544f

11. Synthesis and Thermal Stability of Cubic ZnO in the Salt Nanocomposites / P. S. Sokolov [et al.] // Rus. Chem. Bul. – 2010. – Vol. 59, N 2. – P. 325–328. https://doi.org/10.1007/s11172-010-0082-7

12. Uchino, T. Structure and formation mechanism of blue-light-emitting centers in silicon and silica-based nanostructured materials / T. Uchino, N. kurumoto, N. Sagawa // Phys. Rev. B. – 2006. – Vol. 73, N 23. – Art. 233203 (4 p.). https://doi.org/10.1103/physrevb.73.233203

13. Skuja, L. Optically active oxygen-deficiency-related centers in amorphous silicon dioxide / L. Skuja // Journal of NonCrystalline Solids. – 1998. – Vol. 239, N 1–3. – P. 16–48. https://doi.org/10.1016/s0022-3093(98)00720-0

14. Numerical simulation of intrinsic defects in SiO 2 and Si3N4 / V. A. Gritsenko [et al.] // Semiconductors. – 2001. – Vol. 35, N 9. – P. 997–1005. https://doi.org/10.1134/1.1403563

15. Electronic structure and photoluminescence properties of Zn-ion implanted silica glass before and after thermal annealing / D. A. Zatsepin [et al.] // Journal of Non-Crystalline Solids. – 2016. – Vol. 432. – P. 183–188. https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2015.10.002


##reviewer.review.form##

Праглядаў: 900


Creative Commons License
Кантэнт даступны пад ліцэнзіяй Creative Commons Attribution 3.0 License.


ISSN 1561-8323 (Print)
ISSN 2524-2431 (Online)