БИСТАБИЛЬНЫЕ ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ p-ТИПА
Анатацыя
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния p-типа, облученных быстрыми электронами и α-частицами. Обнаружен новый бистабильный радиационно-индуцированный центр с глубокими уровнями вблизи середины запрещенной зоны Si. Определены основные характеристики данного центра и высказаны предположения о его возможной природе.
Аб аўтарах
С. ЛАСТОВСКИЙ
НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
В. МАРКЕВИЧ
Университет г. Манчестер
Вялікабрытанія
Вялікабрытанія
Ф. КОРШУНОВ
НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
А. ЯКУШЕВИЧ
НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
Л. МУРИН
НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, Минск
Беларусь
Беларусь
Л. МАКАРЕНКО
Белорусский государственный университет, Минск
Беларусь
Беларусь
Спіс літаратуры
1. Chantre, A. Introduction to defect bistability / A. Chantre // Appl. Phys. A. – 1989. – Vol. 48. – P. 3–9.
2. Watkins, G. D. Defect metastability and bistability / G. D. Watkins // Material Science Forum. – 1989. – Vol. 38–41. – P. 39–50.
3. Мукашев, Б. Н. Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии / Б. Н. Мукашев, Х. А. Абдуллин, Ю. В. Горелкинский // УФН. – 2000. – Т. 43, № 2. – С. 143–155.
4. Makarenko, L. F. Trapping of minority carriers in thermal U−-donors in n-Si / L. F. Makarenko, L. I. Murin // Phys. stat. sol. (b). – 1988. – Vol. B145, N 1. – P. 241–253.
5. Watkins, G. D. Modification of defect structures by electronic excitation / G. D. Watkins // Reviews of Solid State Science. – 1990. – Vol. 4, N 3–4. – P. 279–296.
6. Коршунов, Ф. П. Радиационная технология изготовления мощных полупроводниковых приборов / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев // Весці НАН Беларусі. Сер. фіз.-тэхн. навук. – 2008. – № 4. – С. 106–114.
7. Structure and electronic properties of trivacancy and trivacancy-oxygen complexes in silicon / V. P. Markevich [et al.] // Phys. stat. sol. (a). – 2011. – Vol. 208, N 3. – P. 568–571.
8. The trivacancy and trivacancy-oxygen family of defects in silicon / V. P. Markevich [et al.] // Solid State Phenomena. – 2014. – Vol. 205–206. – P. 181–190.
9. Dobaczewski, L. Laplace-transform deep-level spectroscopy: The technique and its applications to the study of point defects in semiconductors / L. Dobaczewski, A. R. Peaker, B. K. Nielsen // J. Appl. Phys. – 2004. – Vol. 96, N 9. – P. 4689–4728.
10. Forward current enhanced elimination of the radiation induced boron-oxygen complex in n+–p diodes / L. F. Makarenko [et al.] // Phys. stat. sol. (a). – 2014. – Vol. 211, N 11. – P. 2558–2562.
11. Complexes of the self-interstitial with oxygen in irradiated silicon: a new assignment of the 936 cm−1 band / J. Hermansson [et al.] // Physica B: Condensed Matter. – 2001. – Vol. 302–303. – P. 188–192.
12. Radiation damage in silicon exposed to high-energy protons / G. Davies [et al.] // Phys. Rev. B. – 2006. – Vol. 73, N 16. – P. 165202 (1–10).
13. Self-interstitial clusters in silicon / R. Jones [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. – 2002. – Vol. 186. – P. 10–18.
14. Posselt, M. Atomistic study of the migration of di- and tri-interstitials in silicon / M. Posselt, F. Gao, D. Zwicker // Phys Rev. B. – 2005. – Vol. 71, N 24. – P. 245202 (1–12).
15. Evolution of radiation-induced carbon-oxygen-related defects in silicon upon annealing: LVM studies / L. I. Murin [et al.] // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. – 2006. – Vol. 253. – P. 210–213.
##reviewer.review.form##
Праглядаў: 823
Паслаць артыкул па эл. пошце 